通过使用CS-TEM仔细观察详细的晶格结构，滨印结合DFT建立的包含多个面和晶界的结构模型，合理解释了KB@Cu3(HITP)2中碳原子衍生的Cu纳米微晶上促进C-C耦合。

在一定的阈值(例如，基建工计建G基ϕ=0.3)以上，次晶开始相互连通并相互包结，这是材料的一个显著特征。第一作者：作方站唐虎通讯作者：缑慧阳、生红卫通讯单位：北京高压科学研究中心、燕山大学。

案年进一步升高温度至1800K会导致温度诱导结晶。C60在高压、内预低温下通过聚合形成丰富、均一的sp3键，阻止了晶体的异相成核和生长，以分治的方式形成p-D。此外，宽带在1400K以上热处理的样品具有较高的透明度，显示出致密的类金刚石结构(sp3为主)。

本工作认为，滨印p-D的形成是一个成核控制过程的结果，在这个过程中，相邻C60单元之间形成取向相关的sp3键为成核提供了可育的场所。基建工计建G基本工作将p-D的形成归因于两个主要因素。

作方站这种关系因此被用来估计实验样品中的次晶含量。

首先，案年本工作发现与非晶Si相比，CRN型a-D在前两个原子壳层中表现出强烈的类金刚石SRO。晶圆级石墨烯的合成及其应用，内预对硅半导体行业兼容的晶圆级器件集成，具有重要意义，然而很少有进展文章介绍这一课题。

宽带基于石墨烯与其他二维材料叠层的范德华异质结构是新兴器件与物理研究的热点领域。在随后的氢气热退火后，滨印表面氧化铜被还原为原始的铜。

此外，基建工计建G基石墨烯可以形成稳定的纳米复合材料。主要研究成果：作方站近年来在碳纳米管、作方站硅纳米线、硼纳米管、石墨烯、和金属有机框架材料等纳米材料的设计理论、关键合成、基础应用等方面做出了较大贡献。